IT之家 2 月 1 日消息，据彭博社报道，知情人士透露，三星电子公司已获得批准向英伟达供应其高带宽存储芯片，这家韩国芯片制造商的 8 层 HBM3E 于 12 月获批。
虽然该批准标志着三星向前迈进了一步，但它在高带宽内存（HBM）技术方面仍然落后于 SK 海力士和美光科技等竞争对手。SK 海力士仍然是英伟达最先进的 AI 芯片的独家供应商，尤其是即将推出的 Blackwell 系列中采用 12 层 HBM3E 芯片的芯片。
IT之家注意到，去年 12 月有报道称，三星电子由于 8 层、12 层堆叠 HBM3E 内存样品性能未达英伟达要求，难以在年内（2024 年）正式启动向这家大客户的供应，实际供货将落到 2025 年。
据悉，三星电子早在 2023 年 10 月就开始向英伟达供应 HBM3E 内存的质量测试样品，但此前一年多的时间内三星 HBM3E 的认证流程并未取得明显进展。
广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。 ]article_adlist--> 声明：新浪网独家稿件，未经授权禁止转载。 -->